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一种促进豌豆幼苗生长、降低镉积累的方法

发布时间:2021-06-15


一种促进豌豆幼苗生长、降低镉积累的方法

专利号:2017102444388

专利类型:发明专利

专利权人:四川农业大学

发明人:唐懿;李焕秀;林立金;廖明安;刘副刚;孙国超;谭华强;黄海涛;李晓梅;苗明军;王力明

简介:

本发明提供了一种促进豌豆幼苗生长、降低镉积累的方法,其包括如下步骤:(1)用褪黑素水溶液对豌豆种子进行浸泡;(2)催芽之后,种植于土壤中,保持土壤湿润;(3)出苗后,进行育苗,保持土壤湿润。本发明可以促进豌豆幼苗的生长;本发明可以显著的降低豌豆幼苗对镉的吸收,相比于清水对照组而言,根系与地上部分的镉含量最高可分别降低20.31%和46.52%。

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